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NTB5426N, NTP5426N, NVB5426N
TYPICAL CHARACTERISTICS
12,000
10
QT
10,000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8.0
8000
6.0
Q1
Q2
6000
4000
C oss
4.0
2000
0
0
C rss
10
20
30
40
50
60
2.0
0
0
25
50
75
100
T J = 25 ° C
I D = 60 A
V DS = 48 V
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
100
V DD = 48 V
I D = 60 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
t d(on)
120
100
80
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
60
10
40
20
1.0
1.0
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 m s
800
600
I D = 70 A
dc
10
1
10 ms
R DS(on) Limit
Thermal Limit
400
200
0.1
0.1
1
Package Limit
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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